Ausschreibung: Lieferung einer trockenchemischen Ätzanlage
Universität der Bundeswehr München
Kurzbeschreibung(Ready Tender generiert)
Lieferung einer manuell beladenen RIE (Reactive Ion Etch)-Anlage für trockenchemische Ätzung von dielektrischen Schichten wie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Polymeren und Fotolacken sowie Silizium auf Siliziumsubstraten. Die Anlage handhabt verschiedene Gase und Temperaturen für hohe Selektivität und ist für Wafer mit Durchmessern von 100 mm, 150 mm und 200 mm ausgelegt, einschließlich kleinerer Formate, Bruchstücke und doppelseitig polierter Wafer. Umfasst alle Komponenten, Betriebs-, Bedienungs- und Gebrauchsanleitungen sowie regelmäßige Software-Updates.
Details zur Ausschreibung(Ready Tender generiert)
Die öffentliche Ausschreibung bezieht sich auf die Lieferung einer manuell zu beladenden trockenchemischen Ätzanlage, speziell einer RIE (Reactive Ion Etch)-Anlage, inklusive aller dazugehörigen Komponenten und notwendigen Unterlagen wie Betriebs-, Bedienungs- und Gebrauchsanleitungen sowie regelmäßigen Software-Updates. Der Auftrag umfasst ein erprobtes System, das für die Ätzung von dielektrischen Schichten wie Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Polymeren und Fotolacken sowie von Silizium auf Siliziumsubstraten geeignet ist. Die Anlage muss verschiedene Gase und Temperaturen handhaben, um hohe Selektivität zu gewährleisten, und ist für Substratformate wie Wafer mit Durchmessern von 100 mm, 150 mm und 200 mm ausgelegt, einschließlich kleinerer Formate, Bruchstücke und doppelseitig polierter Wafer.
Diese Beschaffung erfolgt im Rahmen des Aufbaus eines Bio-Labors (Auftragsnummer KI797) an der Universität der Bundeswehr München, einer obersten Bundesbehörde im Bereich allgemeiner öffentlicher Verwaltung. Der Erfüllungsort ist der Standort in Neubiberg mit der Postleitzahl 85579. Die Lieferleistung wird als offenes Verfahren europaweit ausgeschrieben, mit einer geschätzten Laufzeit vom 1. Mai 2026 bis zum 31. März 2027. Der Hauptklassifizierungscode (CPV) lautet 22520000 für Trockenätzausrüstung, und der Fokus liegt auf einer zuverlässigen Integration in halbleitertechnische Prozesse zur Strukturierung von Materialien.
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